b.tgδ的第二次測量值對第一次測量值的增加量不應(yīng)超過2×10-4。
在解釋測量結(jié)果時(shí)，應(yīng)考慮以下兩個因素：
a.測量的再現(xiàn)性；
b.在單元未發(fā)生任何元件擊穿或一只內(nèi)部熔絲熔斷的情況下，電介質(zhì)的內(nèi)部 變化有可能引起電容的微小變化。
注：①無論是檢驗(yàn)單元的損耗還是溫升是否滿足要求，都應(yīng)考慮在整個熱穩(wěn)定試 驗(yàn)過程中的電壓、頻率和冷卻空氣溫度的波動。為此，建議作出這些參數(shù)以及單 元損耗角正切值或外殼溫度對時(shí)間的關(guān)系曲線。
②60Hz的單元可用50Hz的電源進(jìn)行試驗(yàn)，反之也可，但其試驗(yàn)容量都必須 等于1.58Qn。對于額定頻率低于50Hz的單元，試驗(yàn)條件應(yīng)由購買方和制造廠協(xié) 商決定。
�、蹖τ谌鄦卧铝袃煞N情況都是允許的：
a.使用三相電源；
b.改變內(nèi)部連接，使其成為具有相同容量的單相單元而使用單相電源。
6.8 高溫?fù)p耗角正切值tgδ的測量
6.8.1 測量程序
單元高溫?fù)p耗角正切值tgδ的測量應(yīng)在熱穩(wěn)定試驗(yàn)結(jié)束時(shí)進(jìn)行，測量電壓和 頻率應(yīng)符合6.4條規(guī)定。
6.8.2 要求
按6.8.1條測得的tgδ應(yīng)不超過5.2.2條中相應(yīng)的規(guī)定值。
注：出廠試驗(yàn)中部分單元的高溫tgδ值可在密封性試驗(yàn)結(jié)束時(shí)進(jìn)行測量，測量電 壓應(yīng)為(0.9～1.1)Un。
6.9 放電試驗(yàn)
以直流電將單元充電到2Un，然后通過一個盡可能靠近單元的間隙進(jìn)行放 電，此試驗(yàn)應(yīng)在10min內(nèi)作完5次。
在此試驗(yàn)后的5min內(nèi)，單元應(yīng)按5.2.3條進(jìn)行一次極間耐壓試驗(yàn)。
在放電試驗(yàn)前和極間電壓試驗(yàn)后均應(yīng)測量電容，兩次測量值之差應(yīng)小于相當(dāng) 于一根熔絲熔斷所引起的變化量或總電容量的2%。
三相單元，僅在兩個端子之間進(jìn)行。對內(nèi)部為三角形連接的，應(yīng)將兩個端子 短接。對內(nèi)部為星形連接的，不需短接端子，但試驗(yàn)電壓必須調(diào)節(jié)到使元件承受 的電壓為元件額定電壓的兩倍。
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