按形成的原因不同分三類：
1 熱缺陷（晶格位置缺陷）
在晶體點(diǎn)陣的正常格點(diǎn)位出現(xiàn)空位，不該有質(zhì)點(diǎn)的位置出現(xiàn)了質(zhì)點(diǎn)（間隙質(zhì)點(diǎn)）。
2 組成缺陷
外來質(zhì)點(diǎn)（雜質(zhì)）取代正常質(zhì)點(diǎn)位置或進(jìn)入正常結(jié)點(diǎn)的間隙位置。
3 電荷缺陷
晶體中某些質(zhì)點(diǎn)個別電子處于激發(fā)狀態(tài)，有的離開原來質(zhì)點(diǎn)，形成自由電子，在原來電子軌道上留下了電子空穴。
1. 缺陷符號及缺陷反應(yīng)方程式
缺陷符號 以二元化合物MX為例
1） 晶格空位：正常結(jié)點(diǎn)位沒有質(zhì)點(diǎn)，VM，VX
2） 間隙離子：除正常結(jié)點(diǎn)位置外的位置出現(xiàn)了質(zhì)點(diǎn)，Mi ，Xx
3） 錯位離子：M排列在X位置，或X排列在M位置上，若處在正常結(jié)點(diǎn)位置上，則MM，XX
4）取代離子：外來雜質(zhì)L進(jìn)入晶體中，若取代M，則LM，若取代X，則LX，若占據(jù)間隙位，則Li。
5）自由電子 e’（代表存在一個負(fù)電荷），，表示有效電荷。
6）電子空穴 h·(代表存在一個正電荷)，·表示有效正電荷
如從NaCl晶體中取走一個Na+，留下一個空位 造成電價不平衡，多出負(fù)一價 。相當(dāng)于取走Na原子加一個負(fù)有效負(fù)電荷，e失去→自由電子，剩下位置為電子空穴h·
7） 復(fù)合缺陷
同時出現(xiàn)正負(fù)離子空位時，形成復(fù)合缺陷，雙空位。 [1] [2] [3] [4] [5] [6] 下一頁 |
