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VM+VX→（VM- VX）
缺陷反應(yīng)方程式
必須遵守三個(gè)原則
1） 位置平衡——反應(yīng)前后位置數(shù)不變（相對物質(zhì)位置而言）
2） 質(zhì)點(diǎn)平衡——反應(yīng)前后質(zhì)量不變（相對加入物質(zhì)而言）
3） 電價(jià)平衡——反應(yīng)前后呈電中性
例：將CaCl2引入KCl中：
將CaO引入ZrO2中
注意：只從缺陷反應(yīng)方程看，只要符合三個(gè)平衡就是對的，但實(shí)際上往往只有一種是對的，這要知道其它條件才能確定哪個(gè)缺陷反應(yīng)是正確的。
確定（1）式密度增加，要根據(jù)具體實(shí)驗(yàn)和計(jì)算。
2. 熱缺陷（晶格位置缺陷)
只要晶體的溫度高于絕對零度，原子就要吸收熱能而運(yùn)動(dòng)，但由于固體質(zhì)點(diǎn)是牢固結(jié)合在一起的，或者說晶體中每一個(gè)質(zhì)點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)必然受到周圍質(zhì)點(diǎn)結(jié)合力的限制而只能以質(zhì)點(diǎn)的平衡位置為中心作微小運(yùn)動(dòng)，振動(dòng)的幅度隨溫度升高而增大，溫度越高，平均熱能越大，而相應(yīng)一定溫度的熱能是指原子的平均動(dòng)能，當(dāng)某些質(zhì)點(diǎn)大于平均動(dòng)能就要離開平衡位置，在原來的位置上留下一個(gè)空位而形成缺陷，實(shí)際上在任何溫度下總有少數(shù)質(zhì)點(diǎn)擺脫周圍離子的束縛而離開原來的平衡位置，這種由于熱運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷——熱缺陷。
熱缺陷兩種基本形式：
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