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干擾試驗(yàn)器電路及波形按GB6162的規(guī)定，試驗(yàn)接線見圖9(a)、(b)，以共模和差模兩種方式將試驗(yàn)電壓加在被試終端的電源端子上。試驗(yàn)電壓的第一個(gè)半波的峰值Cm按4.8.3條的規(guī)定，重復(fù)頻率為每秒50個(gè)衰減振蕩波群，試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間為10s。
圖9 抗傳導(dǎo)性高頻電壓試驗(yàn)接線
(a)共模干擾試驗(yàn)接線； (b)差模干擾試驗(yàn)接線
L-隔離電抗器，1.5mH；C-耦合電容器，0.47μF
5.6.4 抗磁場影響
在直徑為1m磁化力400A的空芯線圈上短時(shí)間通50Hz電流，則線圈中心之磁通密度約為0.5mT。將被試雙向終端置于線圈中心，通電時(shí)間為1s，間隔1s再通電1s，重復(fù)試驗(yàn)3次。
當(dāng)雙向終端體積較大，無法置于空芯線圈內(nèi)時(shí)，可只對受磁場影響較大之輸出繼電器組件等進(jìn)行試驗(yàn)。
5.7 平均無故障工作時(shí)間(MTBF)試驗(yàn)
該試驗(yàn)在現(xiàn)場試運(yùn)行考核中進(jìn)行。試運(yùn)行考核期應(yīng)不少于6個(gè)月，并應(yīng)包括該地區(qū)氣候環(huán)境條件的最嚴(yán)酷時(shí)期。
按GB5081的規(guī)定進(jìn)行現(xiàn)場可靠性數(shù)據(jù)收集，然后按GB5080.4的規(guī)定進(jìn)行可靠性數(shù)據(jù)分析。
6 檢驗(yàn)規(guī)則
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