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(4) 負(fù)離子過(guò)剩形成正離子空位
由于存在正離子空位，為保持電中性，在正離子空位周圍捕獲電子空位，因此其也是P型半導(dǎo)體，如Cu2O、FeO即是。例：FeO在氧氣下形成這種缺陷，實(shí)際上是Fe2O3在FeO中形成的固溶體（高價(jià)取代低價(jià)），即2個(gè)Fe3+取代3個(gè)Fe2+，同時(shí)在晶格中形成個(gè)正離子空位，在氧氣條件下，氧氣進(jìn)入FeO晶格結(jié)構(gòu)中，變?yōu)檠蹼x子，必須從鐵離子獲得兩個(gè)電子，使Fe2+→Fe3+，并形成VFe。
可見(jiàn)：非化學(xué)計(jì)量化合物缺陷的形成主要受氣氛影響，也與溫度有關(guān)，嚴(yán)格說(shuō)，世界上所有化合物都是非化學(xué)計(jì)量的，只是程度不同而已。
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