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| 超純金屬的制備和檢測(cè)方法 | |
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| 超純金屬，指的是相對(duì)高純度的金屬，一般指金屬純度到達(dá)純度9以上的金屬，物理雜質(zhì)的概念才是有意義的，任何金屬都不能到達(dá)肯定純�！俺儭本哂邢鄬�(duì)的意義，是指技能上到達(dá)的標(biāo)準(zhǔn)。因?yàn)榧寄艿拈_(kāi)展，也常使“超純”的標(biāo)準(zhǔn)晉級(jí)。 材料的純度對(duì)其功能，特別是微電子學(xué)、光電子學(xué)功能影響很大，現(xiàn)代高技能產(chǎn)業(yè)要求制備出超純金屬以利于制造高功能器材。例如曩昔高純金屬的雜質(zhì)為ppm級(jí)(即百萬(wàn)分之幾),而超純半導(dǎo)體 材料的雜質(zhì)達(dá)ppb級(jí)(十億分之幾),并將逐漸開(kāi)展到以ppt級(jí)(一萬(wàn)億分之幾)表明。 “超純”的相對(duì)名詞是指“雜質(zhì)”，廣義的雜質(zhì)是指化學(xué)雜質(zhì)(元素)及“物理雜質(zhì)”(晶體缺陷)，后者是指位錯(cuò)及空位等，而化學(xué)雜質(zhì)是指基體以外的原子以代位或填隙等方式摻入。但只當(dāng)金屬純度到達(dá)很高的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)(如純度9以上的金屬)，物理雜質(zhì)的概念才是有意義的，因而現(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)的金屬仍是以化學(xué)雜質(zhì)的含量作為標(biāo)準(zhǔn)，即以金屬中雜質(zhì)總含量為百萬(wàn)分之幾表明。比較清晰的辦法有兩種：一種是以材料的用處來(lái)表明，如“光譜純”、“電子級(jí)純”等;一種是以某種特征來(lái)表明，例如半導(dǎo)體材料用載流子濃度，即一立方厘米的基體元素中起導(dǎo)電效果的雜質(zhì)個(gè)數(shù)(原子/厘米)來(lái)表明。而金屬則可用剩余電阻率(ρ4.2K/ρ300K)表明。 實(shí)際上純度以幾個(gè)“9”()來(lái)表明(如雜質(zhì)總含量為百萬(wàn)分之一，即稱(chēng)為6個(gè)“9”或6)，是不完整概念，如電子器材用的超純硅以金屬雜質(zhì)核算，其純度相當(dāng)于9個(gè)“9”，但如計(jì)入碳，則可能不到6個(gè)“9”。 制備辦法 超純金屬的制備有化學(xué)提純法如精餾(特別是金屬氯化物的精餾及氫復(fù)原)、提高、溶劑萃取等和物理提純法如區(qū)熔提純等(見(jiàn)硅、鍺、鋁、鎵、銦)。其間以區(qū)熔提純或區(qū)熔提純與其他辦法相 結(jié)合最有用。 因?yàn)槿萜髋c藥劑中雜質(zhì)的污染，使得到的金屬純度遭到必定的約束，只有用化學(xué)辦法將金屬提純到必定純度之后,再用物理辦法如區(qū)熔提純,才能將金屬純度說(shuō)到一個(gè)新的高度。能夠用半導(dǎo)體材料鍺及超純金屬鋁為例闡明典型的超純金屬制備及檢測(cè)的原理。 提純金屬時(shí)，雜質(zhì)的分配系數(shù)對(duì)提純金屬有嚴(yán)重的聯(lián)系，因?yàn)殒N中大部分雜質(zhì)的分配系數(shù)都小于1,所以鍺的區(qū)熔提純是非常有用的。半導(dǎo)體材料的純度,也可用電阻率來(lái)表征。區(qū)域提純后的金屬鍺,其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆·厘米時(shí)，純度相當(dāng)于8～9,能夠滿(mǎn)意電子器材的要求。但關(guān)于雜質(zhì)濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測(cè)器級(jí)超純鍺，則尚須通過(guò)特殊處理。因?yàn)殒N中有少量雜質(zhì)如磷、砷、鋁、鎵、硅、硼的分配系數(shù)接近于1或大于1，要加強(qiáng)化學(xué)提純辦法除掉這些雜質(zhì)，然后再進(jìn)行區(qū)熔提純。電子級(jí)純的區(qū)熔鍺錠用霍爾效應(yīng)丈量雜質(zhì)(載流子)濃度，一般可達(dá)10～10原子/厘米。經(jīng)切頭去尾,再利用屢次拉晶和切開(kāi)頭尾，一向到達(dá)所要求的純度(10原子/厘米)，這樣純度的鍺(相當(dāng)于13)所作的探測(cè)器,其分辨率已接近于理論數(shù)值。 |
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