超純金屬鋁的制備與檢測(cè)辦法與鍺不同。用三層電解法制備的精鋁,其純度為99.99%。
精鋁通過(guò)區(qū)熔提純，只能到達(dá)5 的高純鋁,但如運(yùn)用在有機(jī)物電解液中進(jìn)行電解,可將鋁提純到99.9995%，并可除掉有晦氣分配系數(shù)的雜質(zhì)，然后進(jìn)行區(qū)熔提純數(shù)次，就能到達(dá)接近于 7 的純度，雜質(zhì)總含量<0.5ppm。這種超純鋁除用于制備化合物半導(dǎo)體材料外，還在低溫下有高的導(dǎo)電功能，可用于低溫電磁設(shè)備。制備化合物半導(dǎo)體的金屬如鎵、銦、砷、磷，可利用氯化物精餾氫復(fù)原、電解精粹、區(qū)熔及拉晶提純等辦法制備超純金屬，總金屬雜質(zhì)含量為 0.1～1ppm。其他金屬如銀、金、鎘、、鉑等也能到達(dá)≥6 的水平。
檢測(cè)辦法
超純金屬的檢測(cè)辦法極為困難。痕量元素的化學(xué)分析系指一克樣品中含有微克級(jí)(10克/克)、毫微克級(jí)(10克/克)、微微克級(jí)(10克/克)雜質(zhì)的斷定。常用的手法有中子和帶電粒子活化分析，原子吸收光譜分析，熒光分光光度分析，質(zhì)譜分析，化學(xué)光譜分析及氣體分析等。
在單晶體高純材料中，晶體缺陷對(duì)材料功能起明顯影響，稱為物理雜質(zhì)，首要依靠在晶體成長(zhǎng)過(guò)程中操控單晶平穩(wěn)均勻的成長(zhǎng)來(lái)削減晶體缺陷上一頁(yè) [1] [2] |
