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B1 高頻電容和等值串聯(lián)電阻
應(yīng)該考慮到耦合電容器高頻特性的任何改變，例如耦合電容器本身電容的變 化或引進(jìn)了雜散量(電容等)，都會影響傳輸頻帶寬度(有效頻帶)，使頻帶移動(dòng)和產(chǎn) 生附加的耦合衰減。
B2 低電壓端子的雜散電容和雜散電導(dǎo)
低電壓端子對接地端子的雜散電容和雜散電導(dǎo)必須盡可能地小。雜散電導(dǎo)高于 20μS的數(shù)值就會顯著地影響耦合設(shè)備的頻帶寬度，至少對在低于100kHz的頻率 下運(yùn)行時(shí)和耦合電容較低時(shí)是這樣。
由于電磁單元的電容和附加損耗，5.2.9.2條把對完整的電容式電壓互感器的 這兩個(gè)參量的要求放寬了。為了盡量降低這些參量，應(yīng)對端子的設(shè)計(jì)和布置作適 當(dāng)?shù)奶幚�，力求在惡劣的大氣條件(潮濕、雪、霜、灰塵等)下，雜散電容和雜散電 導(dǎo)也不致顯著地高于上列數(shù)值。
B3 耦合電容器的高頻電流
耦合電容器必須設(shè)計(jì)得能承受通過至少1A的穩(wěn)態(tài)高頻電流(等效在400Ω電 阻上產(chǎn)生400W功率的電流，方均根值)，且不發(fā)生任何損壞。
B4 高頻電容和等值串聯(lián)電阻測量 (6.8條)
為了驗(yàn)證低溫的影響，要在氣候室內(nèi)進(jìn)行測量，經(jīng)過商定可以對包含有限元 件的模擬電容器進(jìn)行。
高頻電容和等值串聯(lián)電阻值的測量方法，只要方便，可以從各種高頻方法， 諸如電橋法、置換法等之中換取一種。
圖B1所示為電橋測量法的一個(gè)例子，它能夠使所求之參量(Cs和Rs)直接讀出。
調(diào)節(jié)Cm和Rm使電橋平衡之后，所求之參量如下：
Cs=Cm Rs=Rm 上一頁 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] 下一頁 |
