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試驗(yàn)在5min內(nèi)進(jìn)行2次。
電容器在試驗(yàn)中有否損壞，應(yīng)以在試驗(yàn)前后在(0.9～1.1)UN的電壓下測量電 容器或單元的電容的方法來檢驗(yàn)。
6.7 局部放電試驗(yàn)
局部放電試驗(yàn)按ZB K48 001中的有關(guān)規(guī)定進(jìn)行。
因測量儀器與被測之量有關(guān)，本標(biāo)準(zhǔn)中推薦之量為以pC計(jì)的視在電荷q。試 驗(yàn)電路的靈敏度應(yīng)能測出不大于5pC的放電強(qiáng)度。
試驗(yàn)電路的布置應(yīng)使局部放電強(qiáng)度的測量不受外部電暈放電等干擾的影響。 在能清楚地把較高的背景干擾和試品中產(chǎn)生的局部放電區(qū)分開來時(shí)，如果購買方 和制造廠雙方同意，允許有較高的干擾。
局部放電用帶寬至少為100kHz的寬頻帶測量時(shí)，有某些有利之處。對(duì)具有分 布電容和電感的電容器，尤其如此。然而，對(duì)于耦合電容器，用窄頻帶測量局部 放電已經(jīng)足夠。當(dāng)測量頻率有可能在0.5MHz到2MHz之間選擇時(shí)，更是如此。 優(yōu)先選用的頻率值為0.5MHz和1MHz。但是，如果可能，這一測量應(yīng)在能得到 最高靈敏度的頻率下進(jìn)行。
如果和測量儀器具有適當(dāng)靈敏度的電容相比，被測單元的電容太大，則局部 放電試驗(yàn)的靈敏度就會(huì)太低。在這種情況下，可采用具有較低電壓和較小電容， 但設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)上均與試驗(yàn)電容器相同的模擬單元進(jìn)行試驗(yàn)。
6.7.1 出廠試驗(yàn)
局部放電的出廠試驗(yàn)，應(yīng)在6.5條所述耐電壓試驗(yàn)之后，6.3條所述復(fù)測電容 之前進(jìn)行。
試驗(yàn)時(shí)，試驗(yàn)電壓應(yīng)從相對(duì)較低之值迅速增加到預(yù)加電壓值(見表6)，保持至 少10s，再迅速降低到表6所給出的局部放電測量電壓，在保持至少1min之后測 量局部放電強(qiáng)度。
局部放電強(qiáng)度的允許值列于表6。
在整個(gè)試驗(yàn)期間，試驗(yàn)電壓的波形應(yīng)為實(shí)際正弦波形。試驗(yàn)電路應(yīng)作適當(dāng)阻 尼，以盡量降低過渡過電壓。
注：局部放電試驗(yàn)也可以選擇在6.5條的工頻耐電壓試驗(yàn)之后，降低電壓期 間進(jìn)行。如果測得的局部放電之值超過了表6的允許限值，則另按前面的規(guī)定單 獨(dú)進(jìn)行試驗(yàn)。
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