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缺陷符號(hào)及缺陷反應(yīng)方程式
http://www.elbaloto.com 時(shí)間:2009/3/30 10:01:18 來源:本站原創(chuàng) 點(diǎn)擊次數(shù):3064

  缺陷符號(hào) 以二元化合物MX為例


  1) 晶格空位:正常結(jié)點(diǎn)位沒有質(zhì)點(diǎn),VM,VX


  2) 間隙離子:除正常結(jié)點(diǎn)位置外的位置出現(xiàn)了質(zhì)點(diǎn),Mi ,Xx


  3) 錯(cuò)位離子:M排列在X位置,或X排列在M位置上,若處在正常結(jié)點(diǎn)位置上,則MM,XX


  4) 取代離子:外來雜質(zhì)L進(jìn)入晶體中,若取代M,則LM,若取代X,則LX,若占據(jù)間隙位,則Li。


  5) 自由電子 e’(代表存在一個(gè)負(fù)電荷),,表示有效電荷。


  6) 電子空穴 h?(代表存在一個(gè)正電荷),?表示有效正電荷


  如:


  從NaCl晶體中取走一個(gè)Na+,留下一個(gè)空位 造成電價(jià)不平衡,多出負(fù)一價(jià) 。相當(dāng)于取走Na原子加一個(gè)負(fù)有效負(fù)電荷,e失去→自由電子,剩下位置為電子空穴h?


  7) 復(fù)合缺陷


  同時(shí)出現(xiàn)正負(fù)離子空位時(shí),形成復(fù)合缺陷,雙空位。


  VM+VX→(VM- VX)


  缺陷反應(yīng)方程式


  必須遵守三個(gè)原則


  1) 位置平衡——反應(yīng)前后位置數(shù)不變(相對(duì)物質(zhì)位置而言)


  2) 質(zhì)點(diǎn)平衡——反應(yīng)前后質(zhì)量不變(相對(duì)加入物質(zhì)而言)


  3) 電價(jià)平衡——反應(yīng)前后呈電中性


  例:將CaCl2引入KCl中:


  將CaO引入ZrO2中


  注意:只從缺陷反應(yīng)方程看,只要符合三個(gè)平衡就是對(duì)的,但實(shí)際上往往只有一種是對(duì)的,這要知道其它條件才能確定哪個(gè)缺陷反應(yīng)是正確的。


  確定(1)式密度增加,要根據(jù)具體實(shí)驗(yàn)和計(jì)算。

[1]

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