在理想完整晶體中，原子按一定的次序嚴格地處在空間有規(guī)則的、周期性的格點上。但在實際的晶體中，由于晶體形成條件、原子的熱運動及其它條件的影響，原子的排列不可能那樣完整和規(guī)則，往往存在偏離了理想晶體結構的區(qū)域。這些與完整周期性點陣結構的偏離就是晶體中的缺陷，它破壞了晶體的對稱性。
晶體中存在的缺陷種類很多，根據(jù)幾何形狀和涉及的范圍常可分為點缺陷、面缺陷、線缺陷幾種主要類型。
點缺陷：是指三維尺寸都很小，不超過幾個原子直徑的缺陷。主要有空位和間隙原子
空位是指未被原子所占有的晶格結點。間隙原子是處在晶格間隙中的多余原子。點缺陷的出現(xiàn)，使周圍的原子發(fā)生靠攏或撐開，造成晶格畸變。使材料的強度、硬度和電阻率增加。所以金屬中，點缺陷越多,它的強度、硬度越高。
線缺陷：是指三維空間中在二維方向上尺寸較小，在另一維方面上尺寸較大的缺陷。屬于這類缺陷主要是位錯。什么是位錯呢？
位錯是晶體中的某處有一列或若干列原子發(fā)生了某種有規(guī)律的錯排現(xiàn)象。
面缺陷：是指二維尺寸很大而第三維尺寸很小的缺陷。通常是指晶界和亞晶界。
晶界：晶粒之間的邊界稱為晶界。
亞晶界：亞晶粒之間的邊界叫亞晶界。
按缺陷的形成又可以分為本征缺陷和雜質缺陷。
本征缺陷——由晶體本身偏離晶格結構形成的缺陷，是由于晶格結點上的粒子的熱運動產生的，也稱熱缺陷。如：
空位缺陷：晶格結點缺少了某些原子（或離子）而出現(xiàn)了空位。
間充缺陷：在晶格結點的空隙中，間充有原子（或離子）。
錯位缺陷：在晶格結點上A類原子占據(jù)了B類原子所應占據(jù)的位置。
非整比缺陷：晶體的組成偏離了定組成定律的非整比性的缺陷。
雜質缺陷——雜質粒子進入晶體形成的缺陷，如雜質粒子和間隙粒子缺陷。
晶體缺陷一般對晶體的化學性質影響較小，而對晶體的一些物理性質如導電性、磁性、光學性能及機械性能影響很大。
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