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位錯蠕變的概念

http://www.elbaloto.com 時間：2009/3/18 11:42:58 來源：本站原創(chuàng) 點擊次數(shù):1601

　　恢復作用

　　這是高溫下的一種變形機制，當溫度 T > 0.63 Tm（Tm為熔融溫度）時，恢復作用顯得重要起來，位錯可以比較自由地擴展并且從一個滑移面攀移到另一個滑移面。從而符號相反的兩個位錯可以通過攀移而互相湮滅（下圖）；符號相同的位錯可以重新排列成位錯壁，而將一個晶粒分隔為亞晶粒。亞晶粒之間在晶格方位上有一輕微差異，而亞晶粒內部位錯密度降低，使變形能繼續(xù)進行（圖）。這種現(xiàn)象稱為多邊形化作用。在顯微鏡單偏光下觀察仍為一個晶粒，在正交偏光下觀察可以看到相鄰亞晶粒間的消光位有幾度之差。

A、B 的上部表示晶內的許多位錯通過滑移和攀移重新排列而形成亞晶粒邊界
A、B 的下部表示塞積的位錯通過攀移而越過障礙，消除堆積的位錯

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