按形成的原因不同分三類：
1 熱缺陷（晶格位置缺陷）
在晶體點陣的正常格點位出現(xiàn)空位，不該有質(zhì)點的位置出現(xiàn)了質(zhì)點（間隙質(zhì)點）。
2 組成缺陷
外來質(zhì)點（雜質(zhì)）取代正常質(zhì)點位置或進入正常結點的間隙位置。
3 電荷缺陷
晶體中某些質(zhì)點個別電子處于激發(fā)狀態(tài)，有的離開原來質(zhì)點，形成自由電子，在原來電子軌道上留下了電子空穴。
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