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　　涉及較大范圍（二維方向）、晶界、晶面、堆垛層錯(cuò)。

　　1. 晶面：由于晶體表面處的離子或原子具有不飽和鍵，有很大反應(yīng)活性，表面結(jié)構(gòu)出現(xiàn)不對(duì)稱性，使點(diǎn)陣受到很大彎曲變形，因而能量比內(nèi)部能量高，是一種缺陷。

　　2. 晶界：晶粒之間交界面，晶粒間取向不同出現(xiàn)晶粒間界，在晶粒界面上的排列是一種過(guò)渡狀態(tài)與兩晶粒都不相同。

　　1）小角度晶界（鑲嵌塊）

　　尺寸在10-6-10-8m的小晶塊，彼此間以幾秒到 的微�。� ）角度傾斜相交，形成鑲嵌結(jié)構(gòu)，有人認(rèn)為是棱位錯(cuò)，由于晶粒以微小角度相交，可以認(rèn)為合并在一起，在晶界面是形成了一系列刃型位錯(cuò)。

　　2）大角度晶界，各晶面取向互不相同，交角較大，在多晶體中，晶體可能出現(xiàn)大角度晶界。在這種晶界中，頂點(diǎn)排列接近無(wú)序狀態(tài)，晶界處是缺陷位置，所以能量較高，可吸附外來(lái)質(zhì)點(diǎn)。晶界是原子或離子擴(kuò)散的快速通道，也是空位消除的地方，這種特殊作用對(duì)固相反應(yīng)，燒結(jié)起重要作用，對(duì)陶瓷、耐火材料等多晶材料性能如蠕變、強(qiáng)度等力學(xué)性能和極化、損耗等介電性能影響較大。

　　3. 堆垛層錯(cuò)

　　離子堆垛過(guò)程中發(fā)生了層次錯(cuò)動(dòng)，出現(xiàn)堆垛層錯(cuò)，如面心立方堆積形式為ABCABCA……→ABCACBABC中間的B層和C層發(fā)生了層次錯(cuò)動(dòng)，出現(xiàn)缺陷（一般了解）

　　非化學(xué)計(jì)量化合物

　　定義：化合物中各元素的原子數(shù)之比不是簡(jiǎn)單的整數(shù)而出現(xiàn)了分?jǐn)?shù)，如Fe1-xO,Cu2-xO,Co1-xO等。

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