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　　按形成的原因不同分三類：

　　1 熱缺陷（晶格位置缺陷）

　　在晶體點陣的正常格點位出現空位，不該有質點的位置出現了質點（間隙質點）。

　　2 組成缺陷

　　外來質點（雜質）取代正常質點位置或進入正常結點的間隙位置。

　　3 電荷缺陷

　　晶體中某些質點個別電子處于激發(fā)狀態(tài)，有的離開原來質點，形成自由電子，在原來電子軌道上留下了電子空穴。

　　1. 缺陷符號及缺陷反應方程式

　　缺陷符號   以二元化合物MX為例

　　1）  晶格空位：正常結點位沒有質點，VM，VX

　　2）  間隙離子：除正常結點位置外的位置出現了質點，Mi ，Xx

　　3）  錯位離子：M排列在X位置，或X排列在M位置上，若處在正常結點位置上，則MM，XX

　　4）取代離子：外來雜質L進入晶體中，若取代M，則LM，若取代X，則LX，若占據間隙位，則Li。

　　5）自由電子  e’（代表存在一個負電荷），，表示有效電荷。

　　6）電子空穴   h·(代表存在一個正電荷)，·表示有效正電荷

　　如從NaCl晶體中取走一個Na+，留下一個空位 造成電價不平衡，多出負一價 。相當于取走Na原子加一個負有效負電荷，e失去→自由電子，剩下位置為電子空穴h·

　　7）  復合缺陷

　　同時出現正負離子空位時，形成復合缺陷，雙空位。

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