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線缺陷的詳述及具體分類 | |
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a-正常面網(wǎng), b-刃型位錯, c-螺型位錯
主要從各自特點(diǎn)區(qū)別:
刃型:滑移方向與位錯線垂直,多半個原子面,位錯線可為曲線。
螺型:滑移方向與位錯線平行,呈螺旋狀,位錯線直線。
由于位錯的存在對晶體的生長,雜質(zhì)在晶體中的擴(kuò)散,晶體內(nèi)鑲嵌結(jié)構(gòu)的形成及晶體的高溫蠕變性等一系列性質(zhì)和過程都有重要影響。
晶體位錯的研究方法:通常用光學(xué)顯微鏡,X光衍射電子衍射和電子顯微鏡等技術(shù)進(jìn)行直接觀察和間接測定。
位錯具有以下基本性質(zhì):
(1)位錯是晶體中原子排列的線缺陷,不是幾何意義的線,是有一定尺度的管道。
(2)形變滑移是位錯運(yùn)動的結(jié)果,并不是說位錯是由形變產(chǎn)生的,因?yàn)橐粔K生長很完事的晶體中,本身就存在很多位錯。
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