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　　按形成的原因不同分三類：

　　1 熱缺陷（晶格位置缺陷）

　　在晶體點(diǎn)陣的正常格點(diǎn)位出現(xiàn)空位，不該有質(zhì)點(diǎn)的位置出現(xiàn)了質(zhì)點(diǎn)（間隙質(zhì)點(diǎn)）。

　　2 組成缺陷

　　外來(lái)質(zhì)點(diǎn)（雜質(zhì)）取代正常質(zhì)點(diǎn)位置或進(jìn)入正常結(jié)點(diǎn)的間隙位置。

　　3 電荷缺陷

　　晶體中某些質(zhì)點(diǎn)個(gè)別電子處于激發(fā)狀態(tài)，有的離開(kāi)原來(lái)質(zhì)點(diǎn)，形成自由電子，在原來(lái)電子軌道上留下了電子空穴。

　　1. 缺陷符號(hào)及缺陷反應(yīng)方程式

　　缺陷符號(hào)   以二元化合物MX為例

　　1）  晶格空位：正常結(jié)點(diǎn)位沒(méi)有質(zhì)點(diǎn)，VM，VX

　　2）  間隙離子：除正常結(jié)點(diǎn)位置外的位置出現(xiàn)了質(zhì)點(diǎn)，Mi ，Xx

　　3）  錯(cuò)位離子：M排列在X位置，或X排列在M位置上，若處在正常結(jié)點(diǎn)位置上，則MM，XX

　　4）取代離子：外來(lái)雜質(zhì)L進(jìn)入晶體中，若取代M，則LM，若取代X，則LX，若占據(jù)間隙位，則Li。

　　5）自由電子  e’（代表存在一個(gè)負(fù)電荷），，表示有效電荷。

　　6）電子空穴   h·(代表存在一個(gè)正電荷)，·表示有效正電荷

　　如從NaCl晶體中取走一個(gè)Na+，留下一個(gè)空位 造成電價(jià)不平衡，多出負(fù)一價(jià) 。相當(dāng)于取走Na原子加一個(gè)負(fù)有效負(fù)電荷，e失去→自由電子，剩下位置為電子空穴h·

　　7）  復(fù)合缺陷

　　同時(shí)出現(xiàn)正負(fù)離子空位時(shí)，形成復(fù)合缺陷，雙空位。

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