缺陷符號 以二元化合物MX為例
1） 晶格空位：正常結(jié)點位沒有質(zhì)點，VM，VX
2） 間隙離子：除正常結(jié)點位置外的位置出現(xiàn)了質(zhì)點，Mi ，Xx
3） 錯位離子：M排列在X位置，或X排列在M位置上，若處在正常結(jié)點位置上，則MM，XX
4） 取代離子：外來雜質(zhì)L進入晶體中，若取代M，則LM，若取代X，則LX，若占據(jù)間隙位，則Li。
5） 自由電子 e’（代表存在一個負(fù)電荷），，表示有效電荷。
6） 電子空穴 h?(代表存在一個正電荷)，?表示有效正電荷
如：
從NaCl晶體中取走一個Na+，留下一個空位 造成電價不平衡，多出負(fù)一價 。相當(dāng)于取走Na原子加一個負(fù)有效負(fù)電荷，e失去→自由電子，剩下位置為電子空穴h?
7） 復(fù)合缺陷
同時出現(xiàn)正負(fù)離子空位時，形成復(fù)合缺陷，雙空位。
VM+VX→（VM- VX）
缺陷反應(yīng)方程式
必須遵守三個原則
1） 位置平衡——反應(yīng)前后位置數(shù)不變（相對物質(zhì)位置而言）
2） 質(zhì)點平衡——反應(yīng)前后質(zhì)量不變（相對加入物質(zhì)而言）
3） 電價平衡——反應(yīng)前后呈電中性
例：將CaCl2引入KCl中：
將CaO引入ZrO2中
注意：只從缺陷反應(yīng)方程看，只要符合三個平衡就是對的，但實際上往往只有一種是對的，這要知道其它條件才能確定哪個缺陷反應(yīng)是正確的。
確定（1）式密度增加，要根據(jù)具體實驗和計算。
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